ルネサス/IMEC、次世代広域帯無線用受信機向けADCを共同開発

ルネサス エレクトロニクスとベルギーIMECは2月23日、LTE-Advancedや次世代Wi-Fi(IEEE802.11ac)といった次世代広域帯無線の受信機向けに、逐次比較型A/Dコンバータ(SAR-ADC)を共同開発したと発表した。40nm CMOSプロセスで試作しておりチップサイズは0.066mm2、消費電力は1.7mW。動特性は10MS/s時のSNDRが62dB、有効ビットに直すと10.0ビットになるという。

ルネサス、グラフィックエンジン向け超高速SRAMを開発

ルネサス エレクトロニクスは2月23日、システムLSIのグラフィックエンジン向けに
超高速動作の2ポートSRAMを開発したと発表した。今回、安定動作を妨げるポート間干渉の回避技術および超高速動作を実現する回路技術を開発。これらの技術を適用し28nmプロセスによる128ワード×64ビットの2ポートSRAMを試作、360psの動作速度を確認したという。同社では今後、28nmプロセスによる最先端システムLSIに採用していく予定。

ソニー、TransferJet規格対応のLSIを商品化

ソニーは2月23日、近距離無線通信技術“TransferJet”規格対応のLSI「CXD3271GW」を商品化すると発表した。SDIO UHS-Iに対応することにより、TransferJet規格の最高実効速度375Mbpsに迫る350Mbps以上の転送速度を実現。受信感度は、Rate65受信時で-82dBm、Rate522受信時で-70dBmとTransferJet規格値を上回る性能を達成した他、従来製品比で34%の省電力化を実現したという。

2012年1月のPC国内総出荷台数は前年同月比2.5%減に

電子情報技術産業協会(JEITA)は2月23日、2012年1月のPC国内出荷実績を発表した。総出荷台数は前年同月比2.5%減の74万8000台で、ノートPCの比率は68.2%。個人向けの新製品発売時期の違いが大きく影響したものの、法人向けのリプレース需要が堅調に推移し、全体では微減となった。総出荷額は同15.4%減の550億円で、このうちノートPCは370億円となった。

東芝、19nmプロセスを用いて世界最大容量128ギガビットのNAND型フラッシュメモリを開発 -世界最小170mm2のチップサイズを実現-

東芝は2月22日、19nmプロセスを用いて世界最大容量128Gビット(16Gバイト)を実現した3ビット/セルのNAND型フラッシュメモリを開発し、米国で開催中の半導体国際学会ISSCCにおいて、米SanDiskと共同で発表した。独自の高速書き込み回路方式とエアギャップ構造により、3ビット/セル製品としては世界最速の18Mbpsの書き込み速度を実現するとともに、128GビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の170mm2というチップサイズを達成した。今回の高速回路書き込み回路方式は、メモリセルにデータを三段階で書き込む際、二段階目で全てのビットを大まかに書き終え、三段階目で微修正だけを行い、書き込み済みのメモリセルに影響をおよぼす現象を約5%にするもの。また、メモリセルを制御する回路を片側に寄せて配置するなどの回路構成の工夫により、周辺回路群の配置面積を約20%減らすことに成功し、チップサイズの小型化を図った。同製品は、今月から量産出荷を開始している。

Corning、カバーガラス「Gorilla Glass 2」を発表、Acer/ASUSが新製品に採用

米Corningは1月9日、 電子機器用カバーガラス「Gorilla Glass 2」を発表した。従来のGorilla Glassの耐傷性、耐擦傷性、耐久性といった性能を維持しつつ、最大20%の薄型化を図った。薄くなることにより、筐体がスリムになり、ディスプレイはより画面が明るく、タッチパネルの感度が向上するという。すでに、Acer、ASUSTek Computerの台湾2社が新製品にGorilla Glassを採用すると表明している。

 

 

Samsung、2011年度第4四半期の暫定実績を発表

韓国Samsung Electronicsは1月6日、2011年度第4四半期の暫定実績を発表した。連結基準で、売上高が前年同期比12.2%増の47兆ウォン(46兆~48兆ウォン:約3兆2900億円)、営業利益が同72.8%増の5.2兆ウォン(5兆~5.4兆ウォン:約3640億円)と予想している。

これらにより、2011年12月期の全社売上高は164兆7000億ウォン(約11兆5290億円)、営業利益は16兆1500億円(約1兆1300億円)となる見込み。

ソニー、書き込み速度 1Gbpsの「XQD」メモリーカードを発表

ソニーは1月6日、新規格「XQD」に対応したメモリーカード『QD-H16』(16GBモデル) / 『QD-H32』(32GBモデル)を発表した。業界標準のPCI Expressインターフェース、独自の高速データ処理用コントローラー、高速化に適したフラッシュメモリーを採用することで、書き込み速度1Gbpsを実現。ニコンから発売される対応製品「D4」では、約100コマの連続撮影枚数が可能となっている。同時発売のUSB3.0対応カードリーダー「MRW-E80」は、撮影した高画質な静止画などの大容量データをメモリーカードからパソコンへ高速転送できる。
XQDは、米SanDisk、ソニー、ニコンが提案し、2011年12月7日に国際的な標準化推進団体であるコンパクトフラッシュアソシエーション(CFA:CompactFlash Association)から採用が発表された次世代メモリーカード規格で、速度理論値は2.5Gbps、将来的には5Gbpsまで対応の予定。容量は理論上2Tバイトを超えるサイズまで拡大可能という。
『QD-H16』(16GBモデル) / 『QD-H32』(32GBモデル) 、XQDカードリーダー「MRW-E80」、XQDエクスプレスカードアダプター 『QDA-EX1』はオープン価格で、2月15日より発売する。

2011年11月度BBレシオ(Book-to-Bill)(SEAJ速報値) 日本製FPD 製造装置 (3 ヶ月平均)

日本製のFPD 製造装置の2011 年11 月度のBB レシオは0.22
東京 2011 年12 月19 日 – 日本半導体製造装置協会が19 日に発表した11 月度のFPD 製造装置速
報値によると日本製装置(輸出を含む)の受注額は8,042 百万円(3 ヶ月移動平均)、BB レシオは0.22 だ
った。BB レシオ0.22 は100 円で販売したのに対し22 円の新たな受注があったということを示す。

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2011年11月度BBレシオ(Book-to-Bill)(SEAJ速報値) 日本製半導体製造装置 (3 ヶ月平均)

日本製の半導体製造装置の2011 年11 月度のBBレシオは0.97
東京 2011 年12 月19 日 – 日本半導体製造装置協会が19 日に発表した11 月度の半導体製造装置
速報値によると日本製装置(輸出を含む)の受注額は80,850 百万円(3 ヶ月移動平均)、BBレシオは0.97
だった。BBレシオ0.97 は100 円で販売したのに対し97 円の新たな受注があったということを示す。

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