カテゴリー : 半導体

2012年2月のセンサ&アクチュエータ出荷額は前年同月比7.3%減に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界センサ出荷額は前月比3.2%減、前年同月
比11.5%増の3億9544万ドル、同じく出荷個数は前月比3.4%減、前年同月比25.8%増、
平均単価は前月比0.2%増、前年同月比11.4%減となった。また、世界アクチュエータ出荷額は前月比4.1%増、前年同月比31.8%減の1億8541万ドル、出荷個数は前月比4.0%減、前年同月比21.2%減、平均単価は前月比8.4%増、前年同月比13.4%減となった。これにより、世界センサおよびアクチュエータ合計出荷額は前月比1.0%減、前年同月比7.3%減の5億8085万ドル、同じく出荷個数は前月比3.4%減、前年同月比21.3%増、平均単価は前月比2.5%増、前年同月比23.6%減となった。なお、地域別出荷額では、センサとアクチュエータ合計で、米州が前月比20.4%減、前年同月比9.5%減の6936万ドル、欧州が前月比7.5%減、前年同月比8.1%減の1億2481万ドル、日本が前月比7.1%増、前年同月比7.5%減の1億2041万ドル、アジアパシフィックが前月比5.7%増、前年同月比6.2%減の2億6628万ドルとなった。

NTT、GaN系半導体の新たな剥離プロセスを開発

NTTは4月11日、GaN系半導体をサファイア基板から簡単に剥離するプロセスを開発し
たと発表した。開発した技術はMeTRe法(メートル法:Mechanical Transfer using a Release layer)と呼ぶもので、サファイア基板上に層状の結晶構造を持つ高品質BN薄膜を積層させ、その上に高品質薄膜素子を積層させる。BN薄膜が“切り取り線”の役割を担うため、簡単に剥離し別の基板に貼り付けることが可能。これにより、2μm厚といった非常に薄いGaN系半導体薄膜素子を低コストで作製することが可能になるという。今後、LEDや太陽電池への応用を図っていく計画。


2012年2月のオプトデバイス出荷額は前年同月比20.5%増に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界オプトデバイス出荷額は前月比3.2%増、前年同月比20.5%増の19億7322万ドルとなった。地域別では、米州が前月比16.2%減、前年同月比1.5%増の1億7321万ドル、欧州が前月比7.4%減、前年同月比33.3%減の1億4780万ドル、日本が前月比7.8%増、前年同月比6.1%増の5億6903万ドル、アジアパシフィックが前月比6.3%増、前年同月比52.8%増の10億8318万ドルとなった。なお、2月の出荷個数は全体で前月比0.3%増、前年同月比29.4%増、同じく平均単価は前月比2.8%増、前年同月比6.9%減となった。


TSMC、20nm対応のFab14フェーズ5の起工式を開催

Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)は4月9日、South Taiwan Science ParkにおいてFab14フェーズ5の起工式を開催したと発表した。フェーズ5は20nmプロセスに対応し、2014年初頭より量産を開始する予定。現在計画中のFab14フェーズ6と合わせるとクリーンルーム面積は8万7000m2。これは従来の典型的な300mm工場の約4倍の面積に相当する。


ARM/Gemalto/G&D、次世代セキュリティで合弁会社を設立

英ARM、蘭Gemalto、独Giesecke & Devrient(G&D)は4月9日、次世代セキュリティの
普及促進を目的に合弁会社を設立すると発表した。新会社はARMが40%、Gemalto
とG&Dが各30%を出資する。コネクテッドデバイス上での高度なサービスを安全で身
近に提供するため、3社の実績あるソリューションをベースにセキュリティ技術を開
発。3社が共通規格の普及を促進し、革新的な次世代サービスを可能にするエコシス
テムを構築するもの。


2012年2月のデジタルバイポーラ出荷額は前年同月比24.7%減に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界デジタルバイポーラ出荷額は前月比11.3%増、前年同月比24.7%減の587万ドルとなった。地域別では、米州が前月比5.4%増、前年同月比19.4%減の131万ドル、欧州が前月比8.8%減、前年同月比33.8%減の75万ドル、日本が前月比1.5%増、前年同月比36.2%減の142万ドル、アジアパシフィックが前月比32.0%増、前年同月比15.2%減の239万ドルとなった。なお、2月の出荷個数は全体で前月比6.9%増、前年同月比47.9%減、同じく平均単価は前月比4.1%増、前年同月比44.4%増となった。


SpansionとSK HynixがNAND型フラッシュで提携

米Spansionと韓国SK Hynixは4月2日、SpansionのSLC NAND型フラッシュメモリ製品を4x/3x/2xnmノードで組み込み市場に提供することを目的に提携した。この提携によるSLC NAND型フラッシュは、2012年第2四半期初めから販売される予定。また、両社は提携の一環として、特許クロスライセンス契約を締結するとしている。


2012年2月のMOSロジック出荷額は前年同月比3.0%増に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界MOSロジック(デジタルバイポーラを除く)出荷額は前月比1.3%減、前年同月比3.0%増の58億8000万ドルとなった。地域別では、米州が前月比10.5%減、前年同月比12.2%増の10億7051万ドル、欧州が前月比17.5%減、前年同月比10.7%減の3億5681万ドル、日本が前月比2.6%増、前年同月比4.0%減の8億6967万ドル、アジアパシフィックが前月比2.9%増、前年同月比3.9%増の35億8302万ドルとなった。なお、2月の出荷個数は全体で前月比1.8%減、前年同月比4.5%減、同じく平均単価は前月比0.5%増、前年同月比7.9%増となった。


2012年2月のMOSマイクロ出荷額は前年同月比6.5%減に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界MOSマイクロ出荷額は前月比8.7%減、前年同月比6.5%減の41億3155万ドルとなった。地域別では、米州が前月比8.8%減、前年同月比22.5%減の6億9998万ドル、欧州が前月比7.6%減、年同月比15.2%減の7億9527万ドル、日本が前月比5.0%減、前年同月比9.9%増の5億9690万ドル、アジア・パシフィックが前月比10.1%減、前年同月比0.3%増の20億3940万ドルとなった。なお、2月の出荷個数は全体で前月比4.6%増、前年同月比1.3%増、平均単価は同じく前月比12.7%減、前年同月比7.7%減となった。


2012年2月のMOSメモリ出荷額は前年同月比10.6%減に

WSTSの発表によると、2012年2月の世界MOSメモリ出荷額は前月比12.4%増、前年同月比10.6%減の45億5155万ドルとなった。地域別では、米州が前月比12.0%増、前年同月比0.2%減の15億2385万ドル、欧州が前月比1.9%減、前年同月比30.9%減の3億6362万ドル、日本が前月比1.9%増、前年同月比17.2%減の3億9930万ドル、アジアパシフィックが前月比17.5%増、前年同月比11.5%減の22億6478万ドルとなった。なお、2月の出荷個数は全体で前月比14.3%増、前年同月比2.9%減で、同じく平均単価は前月比1.6%減、前年同月比8.0%減となった。