カテゴリー : 半導体

Lattice、40nmモバイルFPGA「Los Angeles」を量産開始

米Lattice Semiconductorは5月8日、40nmモバイルFPGA「iCE40 mobileFPGA」ファミリの「Los Angeles」の量産を開始したと発表した。低消費電力タイプ「iCE40 LP」シリーズの「LP640/1K/4K/8K」と高性能タイプ「iCE40 HX」シリーズの「HX640/1K/4K/8K」の8デバイスとパッケージを組み合わせた17種類の製品となる。開発キット「iCEblink40-LP/HX」は近日中に提供を開始する。

Lattice Semiconductor

TSMC、2012年4月の売上高は前年同月比9.1%増に

Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)は5月10日、2012年4月の売上高が前年同月比9.1%増の404億9600万台湾ドル(約1126億円)になったと発表した。これにより、2012年1~4月の売上高は前年同期比2.5%増の1460億400万台湾ドル(約4059億円)となった。
TSMC

2012年3月のディスクリート出荷額は前年同月比8.8%減に

WSTSの発表によると、2012年3月の世界ディスクリート出荷額は前月比19.6%増、前年同月比8.8%減の17億9178万ドルとなった。地域別では、米州が前月比22.2%増、前年同月比10.1%減の1億7970万ドル、欧州が前月比9.2%増、前年同月比24.7%減の2億5507万ドル、日本が前月比11.9%増、前年同月比8.1%増の3億5855万ドル、アジアパシフィックが前月比25.3%増、前年同月比8.8%減の9億9846万ドルとなった。なお、3月の出荷個数は全体で前月比25.0%増、前年同月比0.1%増、同じく平均単価は前月比4.3%減、前年同月比9.0%減となった。

IDT社、高性能アプリケーション向けに、世界初のピエゾ圧電MEMS発振器を発表

 IDT(Integrated Device Technology, Incは5月10日、ピエゾ圧電MEMS「pMEMS」のLVDS/LVPECL発振器を発表しました。同製品は、実質的に1psec未満の位相ジッタで動作し、従来の6ピンの水晶発振器(XO)の置き換えに最適なデバイスとなっている。

 IDT 4Mシリーズの高性能LVDS/LVPECL発振器は、微調整が必要な高価な水晶の必要がなく、工場出荷時に所望の出力周波数に迅速に設定することが可能。さらに、pMEMSの公称共振周波数が水晶振動子よりも遥かに高いので、4M発振器は、重要なパフォーマンスを犠牲にせずに、低価格でより高い周波数を達成することができる。4Mシリーズは、IDT社からのMEMSベースデバイスの第1弾となる。

 IDT 4M発振器は、工業用温度範囲(-40℃~85℃)で、周波数精度±50ppmで動作する。最高周波数625MHzまでのLVDS(low-voltage differential signaling)とLVPECL(low-voltage positive emitter-coupled logic)をサポートし、ほとんどの通信、ネットワーキング、および高性能コンピューティングのアプリケーションの厳格な要求を満たす。pMEMS発振器のパッケージは、7.0mm×5.0mm(7050)サイズに加えて、コストを削減し、高密度の筐体の中で実装面積を最小化するために、5.0mm×3.2mm(5032)と小型の標準プラスチック・パッケージも用意している。従来のXOとピン互換性も備えている。


バッファロー、MRAMキャッシュ搭載のSSDを発表

バッファローメモリは、MRAMキャッシュ搭載のSSDを発表した。MRAMを利用するメリットとしては、SSDへの電源が遮断された場合も書き込み中のデータが消失することがなくなる他、再起動時の故障も回避することできることなどがある。これまではSSD内の管理データをDRAMに書き込む必要があったが、MRAMではデータを保持できるため、起動時間の高速化できる。さらに、リード/ライトなどのアクセスがない時はキャッシュメモリへの給電を停止して消費電力が抑えることができる。
同製品の用途としては、社会インフラ向けのサーバなど信頼性が要求される製品を最初のターゲットとするという。現在、特定ユーザー向けにサンプル出荷中。
価格は4Gバイト品が8万円、8Gバイト品が10万円。

TSMC、ARMコアの28nmテストチップが3.1GHz動作を達成

Taiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)は5月8日、28nmベースの「ARM Cortex-A9」コアのテストチップがTypical(代表値)条件下で動作周波数3.1GHzを達成したと発表した。同チップに採用したTSMCの28nm HPM(高性能モバイル機器向け)プロセスは、パフォーマンスとリーク電流の要求に幅広く対応する。同一動作条件下で同社の40nmプロセスの2倍の性能に相当する。

2012年第1四半期のシリコンウェーハ出荷面積は微増

米国に本部を置くSEMIは5月8日、SEMI Silicon Manufacturers Group (SMG)によるシリコンウェーハ業界の分析結果をもとに、2012年第1四半期の世界シリコンウェーハ出荷面積は2011年第4四半期から僅かに増加したと発表した。

2012年第1四半期に出荷されたシリコンウェーハ面積は20億3300万平方インチとなり、2011年第4四半期の20億900万平方インチから1%増加した。また、前年同期比では11%減だった。

SEMIでは、年頭の四半期のシリコンウェーハ出荷量は季節性の軟調傾向が見られるが、今年は前期比で若干改善を示した。2012年は半導体産業の緩やかな成長が予測されており、シリコンウェーハ出荷面積もポジティブな勢いが続くとコメントしている。

SEMI

ST、MEMSマイクを活用した音声対応スマートホームを研究

伊仏STMicroelectronicsは5月7日、欧州の研究プロジェクト「DIRHA(Distant Speech Interaction for Robust Home Applications)」において、MEMSマイクロフォンやオーディオ処理技術を活用し、音声対応スマートホームに関する研究を実施していると発表した。DIRHAは、将来のスマートホームにおいて、人と機械が音声でコミュニケーションを行うためのソリューション研究とプロトタイプ作成を目的とする。同社のMEMSマイクの物理/音響パラメータは、遠隔音声対話システムに必要な条件をサポートするという。

STMicroelectronics

TSMCの20nm計画前倒しはAppleからの受注狙いか?

大手ファンドリーTaiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)が20nmノード製品の生産開始を前倒しする計画を推進していることについて、米Appleの次世代MPUの注文に備えるためとの見方が浮上しているとDigiTimesが報じている。現在、TSMCの28nmラインは需要にして能力不足になっており、20nm向けの投資を早めることで、Appleを含む潜在顧客からの受注に対応したいと目論んでいるという。


2012年3月の世界半導体出荷額は前年同月比7.2%減に

WSTSの発表によると、2012年3月の世界半導体出荷額は前月比20.1%増、前年同月比7.2%減の264億1117万ドルとなった。地域別では、米州が前月比14.0%増、前年同月比4.5%減の48億5470万ドル、欧州が前月比22.3%増、前年同月比13.2%減の31億4718万ドル、日本が前月比15.4%増、前年同月比5.2%減の37億7935万ドル、アジアパシフィックが前月比23.0%増、前年同月比7.2%減の146億2995万ドルとなった。なお、3月の出荷個数は全体で前月比18.5%増、前年同月比2.4%増、平均単価は前月比1.3%増、前年同月比9.4%減となった。