NTT、GaN系半導体の新たな剥離プロセスを開発

NTTは4月11日、GaN系半導体をサファイア基板から簡単に剥離するプロセスを開発し
たと発表した。開発した技術はMeTRe法(メートル法:Mechanical Transfer using a Release layer)と呼ぶもので、サファイア基板上に層状の結晶構造を持つ高品質BN薄膜を積層させ、その上に高品質薄膜素子を積層させる。BN薄膜が“切り取り線”の役割を担うため、簡単に剥離し別の基板に貼り付けることが可能。これにより、2μm厚といった非常に薄いGaN系半導体薄膜素子を低コストで作製することが可能になるという。今後、LEDや太陽電池への応用を図っていく計画。


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