パナソニック、2層構造のクロスポイント型で新ReRAMを開発

パナソニックは2月23日、2層構造のクロスポイント型で新ReRAMを開発したと発表した。クロスポイント型ReRAMは、従来の1T1R型ReRAMに比べ、メモリセルを10倍以上に高密度化できる。今回、2層のクロスポイント構造を0.18μmプロセスで試作し、容量8M、書き込み速度443Mバイト/sを実現した。

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