東芝、19nmプロセスを用いて世界最大容量128ギガビットのNAND型フラッシュメモリを開発 -世界最小170mm2のチップサイズを実現-

東芝は2月22日、19nmプロセスを用いて世界最大容量128Gビット(16Gバイト)を実現した3ビット/セルのNAND型フラッシュメモリを開発し、米国で開催中の半導体国際学会ISSCCにおいて、米SanDiskと共同で発表した。独自の高速書き込み回路方式とエアギャップ構造により、3ビット/セル製品としては世界最速の18Mbpsの書き込み速度を実現するとともに、128GビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小の170mm2というチップサイズを達成した。今回の高速回路書き込み回路方式は、メモリセルにデータを三段階で書き込む際、二段階目で全てのビットを大まかに書き終え、三段階目で微修正だけを行い、書き込み済みのメモリセルに影響をおよぼす現象を約5%にするもの。また、メモリセルを制御する回路を片側に寄せて配置するなどの回路構成の工夫により、周辺回路群の配置面積を約20%減らすことに成功し、チップサイズの小型化を図った。同製品は、今月から量産出荷を開始している。

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